二、 行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈
超大規模集成電路制造過(guò)程中要反復用到的濺射(Sputtering)工藝屬于物理氣相沉積(PVD)技術(shù)的一種,是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一,它利用離子源產(chǎn)生的離子,在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱(chēng)為濺射靶材。
濺射靶材工作原理示意圖如下:
一般來(lái)說(shuō),濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成,其中,靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料,屬于濺射靶材的核心部分,在濺射鍍膜過(guò)程中,靶坯被離子撞擊后,其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜;由于高純度金屬強度較低,而濺射靶材需要安裝在專(zhuān)用的機臺內完成濺射過(guò)程,機臺內部為高電壓、高真空環(huán)境,因此,超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合,背板起到主要起到固定濺射靶材的作用,且需要具備良好的導電、導熱性能。
濺射靶材的種類(lèi)較多,即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規格。按照不同的分類(lèi)方法,能夠將濺射靶材分為不同的類(lèi)別,主要分類(lèi)情況如下:
按形狀分類(lèi):長(cháng)靶、方靶、圓靶
按化學(xué)成份分類(lèi): 金屬靶材(純金屬鋁、鈦、銅、鉭等)、合金靶材(鎳鉻合金、鎳鈷合金等)、陶瓷化合物靶材(氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等)
按應用領(lǐng)域分類(lèi): 半導體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材
在濺射靶材應用領(lǐng)域中,半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀(guān)結構等方面都設定了極其苛刻的標準,需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(cháng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品,因此,半導體芯片對濺射靶材的要求是最高的,價(jià)格也最為昂貴;相較于半導體芯片,平面顯示器、太陽(yáng)能電池對于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌,但隨著(zhù)靶材尺寸的增大,對濺射靶材的焊接結合率、平整度等指標提出了更高的要求。此外,濺射靶材需要安裝在濺射機臺內完成濺射過(guò)程,濺射機臺專(zhuān)用性強,對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。
二、 行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈
高純?yōu)R射靶材行業(yè)屬于電子材料領(lǐng)域,其產(chǎn)業(yè)鏈上下游關(guān)系如下:
超高純金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分,濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環(huán)節,其中,靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節。
高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)鏈
高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎,以半導體芯片用濺射靶材為例,若濺射靶材雜質(zhì)含量過(guò)高,則形成的薄膜無(wú)法達到使用所要求的電性能,并且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒,導致電路短路或損壞,嚴重影響薄膜的性能。通常情況下,高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純,為了獲得更高純度的金屬材料,最大限度地去除雜質(zhì),需要將化學(xué)提純和物理提純結合使用。在將金屬提純到相當高的純度后,往往還需配比其他金屬元素才能投入使用,在這個(gè)過(guò)程中,需要經(jīng)過(guò)熔煉、合金化和鑄造等步驟:通過(guò)精煉高純金屬,去除氧氣、氮氣等多余氣體;再加入少量合金元素,使其與高純金屬充分結合并均勻分布;最后將其鑄造成沒(méi)有缺陷的錠材,滿(mǎn)足生產(chǎn)加工過(guò)程中對金屬成份、尺寸大小的要求。
濺射靶材制造環(huán)節首先需要根據下游應用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設計,然后進(jìn)行反復的塑性變形、熱處理,需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標,再經(jīng)過(guò)焊接、機械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細且繁多,工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。
濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時(shí),被濺射飛散出,因被濺射飛散的物體附著(zhù)于目標基板上而制成薄膜的過(guò)程,濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料。此環(huán)節是在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對生產(chǎn)設備及技術(shù)工藝要求最高的環(huán)節,濺射薄膜的品質(zhì)對下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。在濺射鍍膜過(guò)程中,濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應,濺射機臺專(zhuān)用性強、精密度高,市場(chǎng)長(cháng)期被美國、日本跨國集團壟斷,主要設備提供商包括AMAT(美國)、ULVAC(日本)、ANELVA(日本)、Varian(美國)、ULVAC(日本)等行業(yè)內知名企業(yè)。
終端應用是針對各類(lèi)市場(chǎng)需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶(hù)的產(chǎn)品,包括汽車(chē)電子、智能手機、平板電腦、家用電器等終端消費電子產(chǎn)品。通常情況下,在半導體靶材濺射鍍膜后,需要將鍍膜硅片切割并進(jìn)行芯片封裝。封裝是指將電路用導線(xiàn)連接到外部接頭處,以便與其他器件連接的工序,不僅能夠起到保護芯片的作用,還將芯片與外界隔離,防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路造成腐蝕而損害導電性能。此外,終端應用也包括制備太陽(yáng)能電池、光學(xué)鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等,此環(huán)節技術(shù)面較寬,呈現多樣化特征。
全球范圍內,濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節參與企業(yè)數量基本呈金字塔型分布,高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節技術(shù)門(mén)檻高、設備投資大,具有規?;a(chǎn)能力的企業(yè)數量相對較少,主要分布在美國、日本等國家和地區,其中,部分企業(yè)同時(shí)開(kāi)展金屬提純業(yè)務(wù),將產(chǎn)業(yè)鏈延伸到上游領(lǐng)域;部分企業(yè)只擁有濺射靶材生產(chǎn)能力,高純度金屬需要上游企業(yè)供應。濺射靶材最高端的應用是在超大規模集成電路芯片制造領(lǐng)域,這個(gè)領(lǐng)域只有美國和日本的少數公司(日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等)從事相關(guān)業(yè)務(wù),是一個(gè)被跨國公司壟斷的行業(yè)。
作為濺射靶材客戶(hù)端的濺射鍍膜環(huán)節具有規?;a(chǎn)能力的企業(yè)數量相對較多,但質(zhì)量參差不齊,美國、歐洲、日本、韓國等知名企業(yè)居于技術(shù)領(lǐng)先地位,品牌知名度高、市場(chǎng)影響力大,通常會(huì )將產(chǎn)業(yè)鏈擴展至下游應用領(lǐng)域,利用技術(shù)先導優(yōu)勢和高端品牌迅速占領(lǐng)終端消費市場(chǎng),如IBM、飛利浦、東芝、三星等。
終端應用環(huán)節是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中規模最大的領(lǐng)域,其產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)分散在各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域,同時(shí),此環(huán)節具有突出的勞動(dòng)密集性特點(diǎn),參與企業(yè)數量最多,機器設備投資一般,主要分布在日本、中國臺灣和中國大陸等,并逐漸將生產(chǎn)工廠(chǎng)向人力成本低的國家和地區轉移。
濺射靶材產(chǎn)業(yè)分布具有一定的區域性特征,美國、日本跨國集團產(chǎn)業(yè)鏈完整,囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個(gè)環(huán)節,具備規?;a(chǎn)能力,在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖,主導著(zhù)技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展;韓國、新加坡及中國臺灣地區在磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域有所特長(cháng)。另外由于上述地區芯片及液晶面板產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早,促使服務(wù)分工明確,可以為產(chǎn)業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專(zhuān)業(yè)代工服務(wù),將上游基礎材料和下游終端應用對接,起到承上啟下的作用,并在一定程度上推動(dòng)上游濺射靶材的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)擴展。但是上述地區的靶材服務(wù)廠(chǎng)商缺少核心技術(shù)及裝備,不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術(shù)領(lǐng)域形成競爭力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴(lài)美國和日本的進(jìn)口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國還屬于較新的行業(yè),以芯片制造廠(chǎng)商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶(hù)正在加大力度擴展產(chǎn)能。從全球來(lái)看,芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國大陸轉移趨勢愈演愈烈,中國正在迎來(lái)這一領(lǐng)域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應用市場(chǎng)需求正在快速增長(cháng)。
三、全球濺射靶材行業(yè)發(fā)展概況
由于濺射鍍膜工藝起源于國外,所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專(zhuān)業(yè)應用性強,因此,長(cháng)期以來(lái)全球濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國、日本少數幾家公司,產(chǎn)業(yè)集中度相當高。以霍尼韋爾(美國)、日礦金屬(日本)、東曹(日本)等跨國集團為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域,經(jīng)過(guò)幾十年的技術(shù)積淀,憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細的生產(chǎn)控制和過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球濺射靶材市場(chǎng)的主導地位,占據絕大部分市場(chǎng)份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后,實(shí)施極其嚴格的保密措施,限制技術(shù)擴散,同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴張和垂直整合,將業(yè)務(wù)觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個(gè)應用領(lǐng)域,牢牢把握著(zhù)全球濺射靶材市場(chǎng)的主動(dòng)權,并引領(lǐng)著(zhù)全球濺射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。
四、我國濺射靶材行業(yè)發(fā)展概況
受到發(fā)展歷史和技術(shù)限制的影響,濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚,目前仍然屬于一個(gè)較新的行業(yè)。與國際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比,我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距,市場(chǎng)影響力相對有限,尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域,全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)依然被美國、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠(chǎng)商所控制或壟斷。隨著(zhù)濺射靶材朝著(zhù)更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展,我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng )新,具備較強的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力,研制出適用不同應用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品,才能在全球濺射靶材市場(chǎng)中占得一席之地。
半導體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等下游工業(yè)對產(chǎn)品的品質(zhì)和穩定性等方面有較高的要求,為了嚴格控制產(chǎn)品質(zhì)量,下游客戶(hù)尤其是全球知名廠(chǎng)商在選擇供應商時(shí),供應商資格認證壁壘較高,且認證周期較長(cháng)。我國高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進(jìn)入國際市場(chǎng),首先要通過(guò)部分國際組織和行業(yè)協(xié)會(huì )為高純?yōu)R射靶材設置的行業(yè)性質(zhì)量管理體系標準,例如,應用于汽車(chē)電子的半導體廠(chǎng)商普遍要求上游濺射靶材供應商能夠通過(guò)ISO/TS16949質(zhì)量管理體系認證,應用于電器設備的濺射靶材生產(chǎn)商需要滿(mǎn)足歐盟制定的RoHS強制性標準;其次,半導體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等下游知名客戶(hù)均建立了十分完善的客戶(hù)認證體系,在高純?yōu)R射靶材供應商滿(mǎn)足行業(yè)性質(zhì)量管理體系認證的基礎上,下游客戶(hù)往往還會(huì )根據自身的質(zhì)量管理要求再對供應商進(jìn)行合格供應商認證。認證過(guò)程主要包括技術(shù)評審、產(chǎn)品報價(jià)、樣品檢測、小批量試用、批量生產(chǎn)等幾個(gè)階段,認證過(guò)程相當苛刻,從新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)到實(shí)現大批量供貨,整個(gè)過(guò)程一般需要2-3年時(shí)間。為了降低供應商開(kāi)發(fā)與維護成本,保證產(chǎn)品質(zhì)量的持續性,濺射靶材供應商在通過(guò)下游客戶(hù)的資格認證后,下游客戶(hù)會(huì )與濺射靶材供應商保持長(cháng)期穩定的合作關(guān)系,不會(huì )輕易更換供應商,并在技術(shù)合作、供貨份額等方面向優(yōu)質(zhì)供應商傾斜。
近年來(lái),受益于國家從戰略高度持續地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應用推廣,我國國內開(kāi)始出現少量專(zhuān)業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè),并成功開(kāi)發(fā)出一批能適應高端應用領(lǐng)域的濺射靶材,為高純?yōu)R射靶材大規模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎和市場(chǎng)化條件。通過(guò)將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化,積極參與濺射靶材的國際化市場(chǎng)競爭,我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場(chǎng)方面都取得了長(cháng)足的進(jìn)步,改變了高純?yōu)R射靶材長(cháng)期依賴(lài)進(jìn)口的不利局面。目前,江豐股份等國內企業(yè)已經(jīng)掌握了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù),積累了較為豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗,擁有了一定的市場(chǎng)知名度,獲得了全球知名客戶(hù)的認可。
五、濺射靶材市場(chǎng)容量和發(fā)展趨勢
濺射技術(shù)作為薄膜材料制備的主流工藝,其應用領(lǐng)域廣泛,如集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、信息存儲、工具改性、光學(xué)鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業(yè)。高純?yōu)R射靶材則主要用于對材料純度、穩定性要求更高的領(lǐng)域,如集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業(yè)。
20 世紀90 年代以來(lái),隨著(zhù)消費電子等終端應用市場(chǎng)的飛速發(fā)展,高純?yōu)R射靶材的市場(chǎng)規模日益擴大,呈現高速增長(cháng)的勢頭。據統計,2015年世界高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)的年銷(xiāo)售額約94.8 億美元。據預測,未來(lái)5 年,世界濺射靶材的市場(chǎng)規模將超過(guò)160 億美元,高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規模年復合增長(cháng)率可達到13%。
目前高純?yōu)R射靶材產(chǎn)品主要應用于半導體產(chǎn)業(yè)、平板顯示器產(chǎn)業(yè)以及太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè),這些領(lǐng)域的市場(chǎng)容量及發(fā)展趨勢如下:
(1)半導體產(chǎn)業(yè)
高純?yōu)R射靶材是伴隨著(zhù)半導體工業(yè)的發(fā)展而興起的,集成電路產(chǎn)業(yè)成為目前高純?yōu)R射靶材的主要應用領(lǐng)域之一。隨著(zhù)信息技術(shù)的飛速發(fā)展,要求集成電路的集成度越來(lái)越高,電路中單元器件尺寸不斷縮小。每個(gè)單元器件內部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導體層及保護層等組成,其中,介質(zhì)層、導體層甚至保護層都要用到濺射鍍膜工藝,因此濺射靶材是制備集成電路的核心材料之一。集成電路領(lǐng)域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等,要求靶材純度很高,一般在5N(99.999%)以上。
受困于2008年爆發(fā)的金融危機,全球半導體市場(chǎng)2009年陷入全面衰退中,2009年,全球半導體銷(xiāo)售額僅為2,263.1億美元,同比下降8.90%。此后,全球半導體市場(chǎng)迅速反彈,2010年全球半導體市場(chǎng)總銷(xiāo)售額約為2,983.2億美元,較上年同期上漲31.82%。2011-2014年,全球半導體市場(chǎng)保持平穩增長(cháng),年均復合增長(cháng)率為3.88%,2014年銷(xiāo)售額達到3,358.0億美元。2015年全球半導體行業(yè)市場(chǎng)規模與2014年基本持平。根據世界半導體貿易統計組織(WSTS)預測,2016年和2017年全球半導體行業(yè)市場(chǎng)規模將繼續保持增長(cháng),增長(cháng)率分別為0.3%和3.1%??傮w來(lái)看,近年來(lái)全球半導體市場(chǎng)仍然處于整體平穩上升階段。
隨著(zhù)智能手機、平板電腦、汽車(chē)電子等終端消費領(lǐng)域對半導體需求的持續增長(cháng),尤其是消費電子產(chǎn)品與互聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的緊密結合,導致手機、平板電腦、智能電視等網(wǎng)絡(luò )接入終端產(chǎn)品的應用面持續擴大,從而進(jìn)一步提升半導體市場(chǎng)容量,預計全球半導體市場(chǎng)在未來(lái)將保持持續增長(cháng)的態(tài)勢。芯片產(chǎn)業(yè)是大數據、云計算、互聯(lián)網(wǎng)的基礎產(chǎn)業(yè)。這些產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展為芯片帶來(lái)了強勁的市場(chǎng)需求。由于半導體行業(yè)所需濺射靶材品種繁多,且每一種需求量都較大,穩定的下游市場(chǎng)增速將有力地促進(jìn)濺射靶材銷(xiāo)售規模的擴大。
根據國際半導體設備與材料協(xié)會(huì )(SEMI)統計:2015年全球半導體材料銷(xiāo)售額為435億美元,其中晶圓制造材料銷(xiāo)售額為242億美元,封裝材料為193億美元。在晶圓制造材料中,濺射靶材約占芯片制造材料市場(chǎng)的2.6%。在封裝測試材料中,濺射靶材約占封裝測試材料市場(chǎng)的2.7%。2015年全球半導體用濺射靶材銷(xiāo)售額為11.4億美元。
隨著(zhù)國內電子產(chǎn)品制造業(yè)的飛速發(fā)展,我國半導體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)潛力巨大。經(jīng)過(guò)多年的引進(jìn)和大規模投資,我國現已初步形成了從設計、前工序到后封裝的產(chǎn)業(yè)輪廓。在全球半導體市場(chǎng)整體增長(cháng)的帶動(dòng)下,我國半導體市場(chǎng)步入高速增長(cháng)軌道。我國半導體市場(chǎng)規模從2006年1,727億元增加到2013年的3,873億元,增幅達124.26%,在此期間內年均復合增長(cháng)率約為12.23%。
中國半導體產(chǎn)業(yè)的持續發(fā)展也為半導體制造材料市場(chǎng)的發(fā)展奠定了良好的基礎。2015年,我國半導體制造材料市場(chǎng)規模達到61.2億美元。集成電路用濺射靶材為半導體制造材料中的一類(lèi),2015年,我國集成電路用濺射靶材市場(chǎng)規模為11.6億元,預計2016年國內半導體用濺射靶材市場(chǎng)規模將突破14億元。
隨著(zhù)國產(chǎn)濺射靶材的技術(shù)成熟,尤其是國產(chǎn)濺射靶材具備較高的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢,并且符合濺射靶材國產(chǎn)化的政策導向,我國濺射靶材的市場(chǎng)規模將進(jìn)一步擴大,在全球市場(chǎng)中有望獲得更多客戶(hù)的認可,市場(chǎng)份額進(jìn)一步提高。
(2)平板顯示產(chǎn)業(yè)(含觸摸屏產(chǎn)業(yè))
平板顯示器主要包括液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、場(chǎng)致發(fā)光顯示器(EL)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)等。其中,市場(chǎng)應用以液晶顯示器為主。近年來(lái),液晶顯示器逐漸取代陰極射線(xiàn)管顯示器成為全球主流的顯示技術(shù),在平面顯示市場(chǎng)中得到了廣泛的應用,主要應用領(lǐng)域包括高清晰電視、筆記本電腦、臺式電腦顯示器等電子產(chǎn)品。平板顯示器多由金屬電極、透明導電極、絕緣層、發(fā)光層組成,為了保證大面積膜層的均勻性,提高生產(chǎn)率和降低成本,濺射技術(shù)越來(lái)越多地被用來(lái)制備這些膜層。平面顯示鍍膜用靶材主要品種有:鉻靶、鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、銅靶、銅合金靶和摻錫氧化銦(ITO)靶材等。
從全球液晶顯示市場(chǎng)發(fā)展趨勢來(lái)看,平板電腦成長(cháng)的主要動(dòng)力來(lái)自于在發(fā)達市場(chǎng)的應用增長(cháng)(包括北美、日本和西歐),根據DisplaySearch預測,平板電腦在發(fā)達市場(chǎng)的出貨量將從2012年的0.8億臺增長(cháng)到2017年的2.54億臺。由于液晶顯示用濺射靶材尺寸普遍較大,液晶面板出貨量平穩較快的增長(cháng)速度將為濺射靶材生產(chǎn)廠(chǎng)商提供更加廣闊的發(fā)展空間。
在全球液晶顯示領(lǐng)域,隨著(zhù)日本品牌影響力的下降,韓國、中國臺灣廠(chǎng)商的市場(chǎng)地位越來(lái)越突出,其中,韓國以L(fǎng)G、三星為代表,LG通過(guò)不斷推陳出新,一段時(shí)期以來(lái)居于全球液晶面板出貨量榜首;中國臺灣則屬于液晶顯示技術(shù)較強和產(chǎn)業(yè)化程度較高的地區。我國大陸作為液晶面板最大的需求地之一,主要從韓國、中國臺灣等國家和地區進(jìn)口,解決好液晶面板的來(lái)源已經(jīng)涉及到我國的產(chǎn)業(yè)安全。
中國大陸從上世紀80年代開(kāi)始進(jìn)入液晶顯示領(lǐng)域,并緊密跟隨液晶顯示技術(shù)的發(fā)展。在政府政策導向和產(chǎn)業(yè)扶植下,我國大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,目前已經(jīng)成為全球主要液晶面板生產(chǎn)大國,并相繼形成了以京東方、深天馬、華星光電等為代表的市場(chǎng)影響力較大的液晶面板本土品牌。而傳統的液晶面板生產(chǎn)強國韓國、日本出于降低制造成本等因素的考慮,近年來(lái)加大在我國大陸投資設廠(chǎng)的力度,通過(guò)產(chǎn)業(yè)轉移的方式提升全球市場(chǎng)競爭力。因此,近年來(lái)國內的平板顯示產(chǎn)業(yè)規模迅速增長(cháng),繼日本、韓國以及臺灣地區后,成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區。
賽迪顧問(wèn)數據顯示,2015年中國平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規模達到1,190.6億元,同比增長(cháng)23.7%??v觀(guān)2015年中國平板顯示器件產(chǎn)業(yè),雖然產(chǎn)業(yè)增長(cháng)率相比2014年有所下降,但是隨著(zhù)京東方重慶8.5代線(xiàn)、華星光電深圳8.5代線(xiàn)二期和中電熊貓南京8.5代線(xiàn)的相繼建成投產(chǎn),以及2014年投產(chǎn)的諸多產(chǎn)線(xiàn)陸續度過(guò)爬坡期進(jìn)入量產(chǎn)期,整體產(chǎn)業(yè)規模與2014年同期相比依舊保持了較快的增長(cháng)。
2016年,中國平板顯示產(chǎn)業(yè)在一系列投資的助推下發(fā)展迅速,TFT-LCD產(chǎn)業(yè)投資進(jìn)入新高潮,京東方、華星光電、和輝光電等面板企業(yè)在OLED上的投資也是非常搶眼。
基于產(chǎn)品價(jià)格、采購國產(chǎn)化等因素的考慮,我國液晶面板廠(chǎng)商開(kāi)始有選擇地與本土優(yōu)秀濺射靶材廠(chǎng)商合作,并期望建立長(cháng)期合作伙伴關(guān)系,這為帶動(dòng)我國濺射靶材行業(yè)的快速發(fā)展提供了有利的市場(chǎng)條件。中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì )數據顯示,2013年-2015年,全球平板顯示用濺射靶材市場(chǎng)規模分別為29.5億美元、31.4億美元和33.8億美元。其中,我國平板顯示用濺射靶材2013年度、2014年度、2015年度市場(chǎng)規模分別為39.4億元、55億元和69.3億元。
六、行業(yè)競爭格局
1)跨國公司競爭優(yōu)勢明顯,處于行業(yè)領(lǐng)導地位
高純?yōu)R射靶材是伴隨著(zhù)半導體工業(yè)的發(fā)展而興起的,屬于典型的技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè),產(chǎn)品術(shù)含量高,研發(fā)生產(chǎn)設備專(zhuān)用性強。隨著(zhù)半導體工業(yè)技術(shù)創(chuàng )新的不斷深化,以美國、日本為代表的半導體廠(chǎng)商需要加強對上游原材料的創(chuàng )新力度,從而最大限度地保證半導體產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性,因此,美國、日本的半導體工業(yè)相繼催生了一批高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)廠(chǎng)商,并于當前居于全球市場(chǎng)的主導地位,在一定程度上,全球半導體工業(yè)的區域集聚性造就了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)的高度聚集。自誕生之日起,以美國、日本為代表的高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)便對核心技術(shù)執行嚴格的保密措施,導致濺射靶材行業(yè)在全球范圍內呈現明顯的區域集聚特征,生產(chǎn)企業(yè)主要集中在美國和日本。
全球范圍內,日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯、住友化學(xué)、愛(ài)發(fā)科等資金實(shí)力雄厚、技術(shù)水平領(lǐng)先、產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗豐富的跨國公司居于全球高純?yōu)R射靶材行業(yè)的領(lǐng)導地位,屬于濺射靶材的傳統強勢企業(yè),憑借其強大的技術(shù)研發(fā)實(shí)力和市場(chǎng)影響力牢牢占據全球濺射靶材市場(chǎng)的絕大部分市場(chǎng)份額,主導著(zhù)全球濺射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,推動(dòng)行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步。
2)國內專(zhuān)業(yè)廠(chǎng)商興起,與跨國公司的差距逐步縮小
國內市場(chǎng)中,高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)起步較晚,主要高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)均由國有資本和少數民營(yíng)資本所投資。受到技術(shù)、資金和人才的限制,國內專(zhuān)業(yè)從事高純?yōu)R射靶材的生產(chǎn)廠(chǎng)商數量仍然偏少,企業(yè)規模和技術(shù)水平參差不齊,多數國內廠(chǎng)商還處于企業(yè)規模較小、技術(shù)水平偏低、產(chǎn)業(yè)布局分散的狀態(tài),市場(chǎng)尚處于開(kāi)拓初期,主要集中在低端產(chǎn)品領(lǐng)域進(jìn)行競爭,在半導體芯片、液晶顯示器和太陽(yáng)能電池等市場(chǎng)還無(wú)法與國際巨頭全面抗衡,但是依靠產(chǎn)業(yè)政策導向、產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢已經(jīng)在國內市場(chǎng)占有一定的市場(chǎng)份額,并逐步在個(gè)別產(chǎn)品或領(lǐng)域擠占國際廠(chǎng)商的市場(chǎng)空間。
經(jīng)過(guò)數年的科技攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應用,目前,國內高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)已經(jīng)逐漸突破關(guān)鍵技術(shù)門(mén)檻,擁有了部分產(chǎn)品的規?;a(chǎn)能力,整體實(shí)力不斷增強,形成了以本公司、有研新材等為代表的專(zhuān)業(yè)從事高純?yōu)R射靶材的生產(chǎn)商,正在經(jīng)歷高速發(fā)展時(shí)期,上升勢頭較快,打破了濺射靶材核心技術(shù)由國外壟斷、產(chǎn)品供應完全需要進(jìn)口的不利局面,不斷彌補國內同類(lèi)產(chǎn)品的技術(shù)缺陷,進(jìn)一步完善濺射靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展鏈條,并積極參與國際技術(shù)交流和市場(chǎng)競爭。
來(lái)源:材料十